2016年12月7日 星期一
美光科技(MU.US)周四表示,4月3日发生在中国台湾的地震将对其动态随机存取存储器(DRAM)供应产生影响,预计将减少约中个位数百分比的一个季度供应量。
该公司在中国台湾有四个工厂,而中国台湾在全球芯片供应链中扮演着重要角色,因此这次地震引发了市场对潜在供应中断的担忧。
美光在2月份表示,已开始大规模生产用于英伟达(NVDA.US) H200图形处理单元的高带宽内存(HBM)芯片,这些单元用于AI应用。
美光称,地震后DRAM生产尚未完全恢复,但强调这不会影响其长期DRAM供应能力。DRAM广泛用于数据中心、个人电脑、智能手机和其他计算设备。
美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)在3月表示,该公司用于AI应用开发的HBM芯片已经售罄,2024年的大部分和2025年的大多数供应已被分配。
美光此前将HBM芯片描述为一种堆叠的DRAM技术,但尚未明确指出其HBM供应是否会受到地震的影响。
尽管此次地震不会影响美光长期DRAM供应能力,却在一定程度上影响了芯片供应链和定价策略。据报道,美光正计划在2024年第二季度显著提高其DRAM和SSD(固态硬盘)产品的价格,预计提价超过25%。
据了解,美光、SK海力士、三星等主要存储芯片供应商因地震影响暂停了报价。目前,虽然三星尚未受到直接影响,但已暂停发货以等待总部的指示。行业专家预计,地震将导致内存产品的价格大幅上涨。
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